J10シリーズ InSb ディテクター
PV(Photo Voltaic) 1〜5.5μm
 J10シリーズのディテクターは、高性能アンチモン化インジウム(InSb)フォトダイオードで、1〜5.5μmの波長範囲で優れた性能を発揮します。単結晶 p-n接合技術により、均一性 直線性 及び安定性に優れ、かつ高速 低雑音のディテクターが得られます。InSb検出器は光起電力型で、赤外線が入射すると電流が生じます。ショットノイズは、背景の赤外放射から発生する直流電流IBGによるノイズです。IBGは検出器の有効領域に比例するため、検出器が小さくなればショット雑音は低くなりNEPの値も小さくなります。
応用
  • 熱画像
  • 熱探査誘導
  • 放射度メータ
  • 分光光度計
  • FTIR
  • すべてのJ10シリーズ InSbディタクターの運転温度は 77kです。ディテクターは、標準の金属ディユアー M204または M205に視野角 60°で、入射口にサファイヤウインドーが取り付けられます。異なった視野角、長時間仕様デュアーもオプションで選択できます。また、スラーリング冷却機構を持ったモデルもあります。  J10クライオ/スターリングクーラ冷却を参照して下さい。
    より詳しい内容は、和文カタログを用意しております。内部リンク PDF形式和文カタログをダウンロードして下さい。また外部リンク ジャドソン社ホームページ(英文)も合わせてご参照下さい。
    Model Number Active
    Size
    (dia.)
    Peak
    Respon-
    sivity
    D*
    @ lpeak
    and
    1KHz
    NEP
    @ lpeak
    and
    1KHz
    Back-
    ground
    Current
    IBG
    Open
    Circuit
    Voltage
    VOC
    Shunt Resistance
    RD
    @ VR = 0V
    Capaci-
    tance
    CD
    Standard
    Packages
      (mm) (A/W) (cm Hz1/2W-1) (pW/Hz1/2) (μA) (mV) (ohms) (nf) Dewar Window
    J10D-M204-R100U-60 0.10 3.0 1E11 0.08 0.15 90 to 120 >25M 0.01 Side-
    Looking
    M204
    M200
    Sapphire
    Amtir
    1-6μm
    AR
    Silicon
    J10D-M204-R250U-60 0.25 3.0 1E11 0.2 0.4 90 to 120 >10M 0.03
    J10D-M204-R500U-60 0.50 3.0 1E11 0.4 2 90 to 120 >1M 0.1
    J10D-M204-R01M-60 1.00 3.0 1E11 0.8 7 90 to 120 >500K 0.4
    J10D-M204-R02M-60 2.00 3.0 1E11 1.6 30 90 to 120 >150K 1.6 Down-
    Looking
    M205
    J10D-M204-R04M-60 4.00 3.0 1E11 3.0 110 90 to 120 >40K 6
    J10D-M204-R07M-60 7.00 3.0 1E11 6 350 90 to 120 >10K 20