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InAsディテクターの特徴
PV(Photo Voltaic) 1～3.8μm

　1～3.8μm波長領域で使用されるディテクターは、PbS PbSe および HgCdTeが一般的です。しかしこれらの素子は光が当たると素子の抵抗値が変化する光伝導素子で、抵抗値の変化の検出にバイアス電流を必要とします。
　一方InAsは光起電力モードで動作し、バイアス電流を必要としません。このことは、光伝導素子が示す低周波領域における "1/f" 雑音特性がなく InAsを DCとか低い周波数のアプリケーションに使うことは賢明な選択となります。(図13-5)　またInAsは、高速パルスレーザーをモニターし、検出するアプリケーションにも優れたパルス応答性を提供致します。(図13-6)

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ジャドソン社ホームページ(英文)も合わせてご参照下さい。

Model Number	Active Size (dia.) (mm)	Operating Tempera- ture	Cutoff Wave- length @λco (50%) (μm)	Respon- sivity @λp (A/W)	Shunt Resistance RD @VR=10mV		Maximum NEP @λpeak and 1KHz (pW/Hz^1/2)	Minimum D* @λpeak and 1KHz (Jones) ^(cmHz1/2W-1)	Capacitance CD @VR=0V (pF)	Optional Packages and Accessories
					Min.	Typ.
					(Ω)	(Ω)
J12シリーズ室温動作 InAsディテクター
J12-18C-R250U	0.25	22℃	3.60	1.5	200	300	6	3.7E9	50	LD2
J12-18C-R01M	1.00			1.0	15	25	33	2.7E9	400
J12-5AP-R02M	2.00			0.8	5	10	71	2.5E9	1600
J12TE1シリーズ 1段電子冷却 InAsディテクター
J12TE1-37S-R250U	0.25	-20℃	3.50	1.5	2000	3000	1.8	1.3E10	50	HS1, CM21
J12TE1-37S-R01M	1.00			1.5	200	300	5.6	1.6E10	400
J12TE1-37S-R02M	2.00			1.25	50	90	13	1.3E10	1600
J12TE2シリーズ 2段電子冷却 InAsディテクター
J12TE2-66D-R250U	0.25	-40℃	3.45	1.5	12K	24K	0.69	3.2E10	50	HS Amp, HS1, CM21, CM Amp
J12TE2-66D-R01M	1.00				1.2K	2.4K	2.2	4.1E10	400
J12TE2-66D-R02M	2.00				300	500	4.4	4.1E10	1600
J12TE3シリーズ 3段電子冷却 InAsディテクター
J12TE3-66D-R250U	0.25	-65℃	3.40	1.5	160K	320K	0.18	1.2E11	50	HS Amp, HS1, CM21, CM Amp
J12TE3-66D-R01M	1.00				15K	30K	0.58	1.5E11	400
J12TE3-66D-R1.5M	1.50				5K	10K	1	1.3E11	800
J12TE4シリーズ 4段電子冷却 InAsディテクター
J12TE4-3CN-R250U	0.25	-85℃	3.30	1.5	800K	1.2M	0.076	2.9E11	50	HS Amp, HS1, CM21, CM Amp
J12TE4-3CN-R01M	1.00				75K	120K	0.25	3.6E11	400
J12TE4-3CN-R02M	2.00				15K	25K	0.55	3.2E11	1600