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InAs_J12

J12シリーズ InAsディテクタ

InAs Detectors

1.0~3.8μm波長領域で使用されるディテクタは、PbS PbSe および HgCdTeが一般的です。
しかしこれらの素子は光が当たると素子の抵抗値が変化する光伝導素子で、抵抗値の変化の検出にバイアス電流を必要とします。
一方InAs ディテクタは光起電力モードで動作し、バイアス電流を必要としません。このことは、光伝導素子が示す低周波領域における "1/f" 雑音特性がなく InAsをDCや低い周波数のアプリケーションに使うことは賢明な選択となります。(下図) またInAsは、高速パルスレーザーをモニターし、検出するアプリケーションにも優れたパルス応答性を提供致します。
Judson社ホームページ(英文)も合わせてご参照下さい。

NEP vs Frequency

J12 Indium Arsenide Detectors J12 response

J12 Indium Arsenide Detectors 受光感度特性

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〔製品特徴〕
■InAs 室温モデル

  • 優れた価格性能比
  • 高感度
  • 高速検知

■InAs TE冷却モデル

  • 高感度・高速検知
  • 低ノイズ
  • 高い空間均一性

〔用途例〕
高速パルスレーザーのモニタリングおよび検出、、制御モニター、温度センサ、赤外分光法、パワーメーター他


製品一覧1 (Room Temperature)

InAs_Room Temperature

型番波長範囲センササイズカットオフ波長ピーク波長動作温度
J12-18C-R250USWIR0.25mm3.6μm3.2μm22℃
J12-18C-R01MSWIR1.00mm3.6μm3.2μm22℃
J12-5AP-R02MSWIR2.00mm3.6μm3.2μm22℃

製品一覧2 (TE Cooled)

PC MCT TE Cooled

型番波長範囲センササイズカットオフ波長ピーク波長動作温度
J12TE1-37S-R250USWIR0.25mm3.5μm3.2μm-20℃
J12TE1-66D-R250USWIR0.25mm3.5μm3.2μm-20℃
J12TE2-66D-R250USWIR0.25mm3.45μm3.2μm-40℃
J12TE3-66D-R250USWIR0.25mm3.4μm3.1μm-65℃
J12TE4-3CN-R250USWIR0.25mm3.3μm3.0μm-85℃
J12TE1-37S-R01MSWIR1.00mm3.5μm3.2μm-20℃
J12TE1-66D-R01MSWIR1.00mm3.5μm3.2μm-20℃
J12TE2-66D-R01MSWIR1.00mm3.45μm3.2μm-40℃
J12TE3-66D-R01MSWIR1.00mm3.4μm3.1μm-65℃
J12TE4-3CN-R01MSWIR1.00mm3.3μm3.0μm-85℃
J12TE3-66D-R1.5MSWIR1.50mm3.4μm3.1μm-65℃
J12TE1-37S-R02MSWIR2.00mm3.5μm3.2μm-20℃
J12TE2-66D-R02MSWIR2.00mm3.2μm3.45μm-40℃
J12TE3-66D-R02MSWIR2.00mm3.4μm3.1μm-65℃
J12TE4-3CN-R02M-BSWIR2.00mm3.3μm3.0μm-85℃

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